王启明院士与成步文研究员在自主研制的超高真空化学气相沉积设备前工作的瞬间。这台设备历时三年攻关，由团队与中国科学院沈阳科学仪器研制中心联合研发，是我国早期硅基光电子材料研究的关键平台。三十年来，它支撑了硅锗材料外延生长的基础研究，为后续硅光技术在光计算、算力领域的突破埋下了伏笔，见证了中国硅基光电子从无到有、走向前沿的每一步。