作者信息： 中国科学院微电子研究所-问鼎-丁芃-20140715

图片描述：本作品显示的是化合物半导体表面的金属传输线和布线的光学显微镜照片，由明场像和暗场像组成。右侧是明场像；左侧是对应区域暗场像的镜像，清晰的显示了明场像中无法看到的图形。作品整体表现为“鼎”的图案。右侧金黄色代表“问鼎”的荣誉和光鲜；左侧窗口内酷似高空俯视城市夜景，犹如凌晨的北京城。作品寓意为，在看得见的科研成绩背后，是看不见的无数个不眠的夜晚；只有经历过凌晨的北京，才能“问鼎”科技的高峰。

 实验方法：在经湿法腐蚀方法修饰过的磷化铟（InP）衬底上，采用负胶紫外光刻定义传输线和布线的图形，通过电子束蒸发技术沉积钛/金（Ti/Au）复合金属层，通过剥离技术完成图形转移，然后通过等离子增强化学气相沉积（PECVD）技术沉积一定厚度的氮化硅（SiNx）薄层。

取样仪器名称型号：奥林巴斯半导体检查显微镜 MX61L

图片处理软件名称：Adobe Photoshop CS3 Windows